少子寿命相关论文
本征氢化非晶氧化硅(i-a-SiOx:H)是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池中重要的钝化材料之一。本文采用PECVD法研究不同沉积衬底温度下n-Cz......
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管，讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响。研究表明，吸收层厚度影响热产生......
采用（100）晶向N型抛光单晶硅衬底，研究氢氧化钠与IPA混合溶液体系对单晶硅片各向异性腐蚀过程，通过优化氢氧化钠质量浓度、IPA体积含量......
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
近年高效低成本P型单晶硅电池相关技术层出不穷,转换效率迅速提高.然而工业界大规模用P型CZ单晶硅片中氧Oi含量较高,在光照条件下......
少数载流子寿命（简称少子寿命）是晶硅材料的一项重要参数，它对晶体硅太阳电 池的光电转换效率有重要的影响。根据太阳电池电致发光强......
由于多晶铸锭生长工艺特点，Fe等杂质含量的分布在铸锭的头部和尾部高、中间低;而少子寿命呈现头部和尾部低、中间高的分布趋势。而......
现多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是：长晶方向为由下往上，这就使得分凝系数大于1的极少部分金属元素及氧元素集中分布在晶锭底部，大部......
作为多晶硅材料中最重要的缺陷之一,晶界可以向硅禁带中引入深能级从而降低硅片性能.本文利用特殊的(110)/(100)键合样品,研究了氢......
单晶硅经电子辐照后,由于大量的辐照缺陷充当多数载流子的陷阱,使得电阻率增加,少子寿命下降.在随后的退火过程中,当退火温度不断......
介绍了目前人们对非晶硅表面钝化本质的认识在半导体物理方面多限于钝化后硅片少子寿命的提高以及由此推算所得表面复合速率的大小......
介绍了研究背景，研究内容，结论，多晶硅铸锭过程中,纯度较低的石英坩埚和氮化硅粉涂层内深能级金属杂质向固态硅锭中扩散,导致边缘晶砖......
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,......
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,纯度和电阻率高,长期以来主要用于核探测器的研究与生产中.由于区熔单......
本文采用PCZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经......
真空定向凝固技术是制备冶金法多晶硅的重要工序，不仅能够去除金属杂质，又能显著影响冶金法多晶硅的电学性能。本文采用工业生产用铸......
研究发现各种寿命片和电池片在光照之后少子寿命和电池效率均有明显的衰减，且光照前90min衰减速率最快在270min时衰减逐渐达到饱和......
少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.......
本文首先提出了在采用Vb=94ρn0.7数学模型，设计双基区P+PINN+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中，引入η=xm-w1=0.25数学模型......
本文介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的......
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中......
微波反射光电导衰减法是测量少子寿命的标准方法之一,具有非接触、无损伤的特点.在测试过程中,通常采用脉冲光在待测样品中产生过......
用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线......
会议
铸造多晶硅材料原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内杂质和缺陷的分布规律.硅锭底部的高浓度氧、Fe杂质及其......
一直以来,有人认为磷扩散对晶体硅太阳电池只有发射结钝化,有人认为只有吸杂,还有的人认为两者皆而有之,但都没有形成统一认识.本......
本文主要针对氮化硅膜的背面钝化,研究在单晶硅及多晶硅衬底上氮化硅膜的热稳定性及不同温度下氮化硅膜退火特性.通过测试少子寿命......
本文主要综述了四种测量少数载流子寿命的方法,详细介绍了测量原理和实验装置、适用范围,针对太阳电池的特点,分析比较了这些方法......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面......
N 型晶体硅片表面的钝化层是高效HIT 太阳电池的关键技术所在.本研究在优化的a-Si:H 薄膜钝化的基础上,进一步探索a-SiOx:H 薄膜对......
铸造准单晶硅中的位错,在晶体生长过程中是不可避免的.研究发现,铸造准单晶硅中的位错存在分散式的位错和位错聚集体两种形态.其中......
本研究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,......
SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, ......
介绍使用两个红外半导体激光器，一束为可调谐Pb1-xSnxTe激光.另一束为GaAs/GaAlAs激光，经光学系统均会聚成φ250 μm的小光点，且将二......
重金属杂质污染会对太阳能硅片性能及寿命产生显著的影响.因此,开展了太阳能硅片加工中的重金属杂质沾污产生过程研究.通过硅片切......
本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载......
对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析......
在相同的炉台、坩埚和铸锭条件下,对比研究了半圆柱形致密原生多晶硅棒料和多晶硅颗粒料作为籽晶对高效多晶硅铸锭质量的影响。通......
针对多晶PERC电池严重的光致衰减问题,研究不同退火方式对多晶PERC太阳电池光诱导衰减效应的影响,通过设计不同退火条件,对退火后......
期刊
强电负性的氟基等离子体是有望替代多晶硅电池片表面湿法制绒的干法制绒技术，然而氟基等离子体特性以及多晶硅的干法制绒机制机......
N型插指背结背接触太阳能电池(IBC,Interdigitated Back-contact SolarCells)具有超过20％的光电转化效率,因此得到了光伏研究领域的......
本文用本征多晶硅并采用100％镓合金和硼镓共掺合金制备了P单晶掺Ga硅片,并制备了太阳电池,且与常规掺硼硅片与电池进行了对比研究.......
本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明：采......
阐述了硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的函数关系以及少子寿命与复合寿命的区别,通过变光强测量得到一组寿命与注入水平的实......
介绍使用两个红外导体激光器，一束为呆调谐Ｐｂ１－ＳｎＴｅ激光，另一束为ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光，经光谠系统均会 聚成φ２５μｍ的小光点，且将二光斑成象在同一位置上，实验测与......
对参量模式LiNbO_3/P~(?)n二极管阵列结构的声表面波(SAW)存贮相关卷积器进行了详细的理论分析,分析计算了各参量对相关输出的影响......
